Besluit bescherming oorspronkelijke topografieën van halfgel чл. 2

1 Het depot van een topografie van een halfgeleiderprodukt geschiedt door de indiening in drievoud van een geschrift bij het Bureau.

2 Het geschrift bevat de gegevens, bedoeld in artikel 8, eerste lid , van de Wet. De aanduiding van de topografie bestaat uit de benaming en een functionele omschrijving van de topografie in niet meer dan 15 woorden.

3 De deposant dient voor het depot een formulier te gebruiken, waarvan het model wordt vastgesteld door het Bureau.